化学光谱法常用于测定高纯材料中痕量杂质,对分析99.999~99.9999%纯度材料,效果好,测定下限可达μg至ng级。此法须先用液-液萃取、挥发、离子交换等技术分离主体,富集杂质,再对溶液干渣用高压电火花或交流电弧光源进行光谱测定;或在分离主体后,把溶液浓缩到2~5ml,用高频电感耦合等离子体作光源进行光谱测定。 [1] 中子活化分析法高纯半导体材料的主要分析方法之一。...
硅材料具有优异的电学性能和机械性能,是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质,因此,电子工业中对硅材料的纯度要求极高。 由于硅材料中主成分是硅和碳,溶解此类样品通常需要加入HF,温度过高易造成B的损失,另外硅材料中杂质含量通常很低,要求分析仪器具有较高的灵敏度,尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。...
此外,半导体材料中的电离杂质浓度,通过霍尔系数测定,一些金属的纯度用剩余电阻率测定,微观结果可用扫描电镜、超微量元素的微区分析和表面分析用电子探针分析。...
半导体材料的提纯“主要是除去材料中的杂质。提纯方法可分化学法和物理法。化学提纯是把材料制成某种中间化合物以便系统地除去某些杂质,最后再把材料(元素)从某种容易分解的化合物中分离出来。物理提纯常用的是区域熔炼技术,即将半导体材料铸成锭条,从锭条的一端开始形成一定长度的熔化区域。利用杂质在凝固过程中的分凝现象,当此熔区从一端至另一端重复移动多次后,杂质富集于锭条的两端。...
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