ASTM F980-10
测量硅半导体器件中中子感应位移故障的快速退火用标准指南
Standard Guide for Measurement of Rapid Annealing of Neutron-Induced Displacement Damage in Silicon Semiconductor Devices
ASTM F980-10 中，可能用到以下仪器
- 标准号
- ASTM F980-10
- 发布
- 2010年
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 替代标准
- ASTM F980-10e1
- 当前最新
- ASTM F980-16(2024)
- 许多太空、军事和核电系统中使用的电子电路可能会暴露于不同水平和时间分布的中子辐射。对于此类电路的设计和制造来说，必须有可用的测试方法来确定其中使用的组件的易损性或硬度（非易损性的度量）。对于暴露后的短期（±100 秒）和长期（永久性损坏），通常需要测定硬度。请参阅实践 E722.1.1 本指南定义了测试硅分立半导体器件和集成电路的中子辐射引起的位移损坏的快速...
ASTM F980-10相似标准
推荐
扫描电镜在半导体行业的应用分析
因此，可控制中子辐射损伤和选用合适的退火工艺消除内部缺陷，提高 NTD 硅单晶质量。7. 半导体材料中的动力学现象如扩散和相变具有很重要的意义 用扫描电镜跟踪铝薄膜条在大电流密度下的电迁移行为，便可以得到有关空洞移动和熔化解润失效的细节。此外，利用能谱仪显微分析技术也可以对半导体材料进行各种成分分析。...
扫描电镜SEM针对半导体行业的应用
因此，可控制中子辐射损伤和选用合适的退火工艺消除内部缺陷，提高 NTD 硅单晶质量。7. 半导体材料中的动力学现象如扩散和相变具有很重要的意义 用扫描电镜跟踪铝薄膜条在大电流密度下的电迁移行为，便可以得到有关空洞移动和熔化解润失效的细节。此外，利用 X 射线显微分析技术也可以对半导体材料进行各种 成分分析。...
技术文章：基于原子力显微镜的失效分析方法概述
同样，SCM用于检测非易失性存储器件的金属-绝缘体-氧化物-半导体异质结构中绝缘层中存储的电荷。 图7显示了在半导体制造过程中对掺杂轮廓进行检测的示例。如样品结构的横截面视图所示，N型多晶硅（N-poly）栅被注入到硅绝缘体（SOI）晶片中。然后，样品在高温下退火，以修复由于高能离子注入而引起的晶格损伤，并激活注入的离子[8]。...
传感器的基本知识
八、电阻式传感器 电阻式传感器是将被测量，如位移、形变、力、加速度、湿度、温度等这些物理量转换式成电阻值这样的一种器件。主要有电阻应变式、压阻式、热电阻、热敏、气敏、湿敏等电阻式传感器件。请登陆:输配电设备网 浏览更多信息 九、电阻应变式传感器 传感器中的电阻应变片具有金属的应变效应，即在外力作用下产生机械形变，从而使电阻值随之发生相应的变化。...