ASTM F980-10
测量硅半导体器件中中子感应位移故障的快速退火用标准指南

Standard Guide for Measurement of Rapid Annealing of Neutron-Induced Displacement Damage in Silicon Semiconductor Devices

被代替

测量硅半导体器件中中子感应位移故障的快速退火用标准指南 是非强制性国家标准，您可以免费下载预览页

说明：

此图仅显示与当前标准最近的5级引用；
鼠标放置在图上可以看到标题编号；
此图可以通过鼠标滚轮放大或者缩小；
表示标准的节点，可以拖动；
绿色表示标准：ASTM F980-10 ，绿色、红色表示本平台存在此标准，您可以下载或者购买，灰色表示平台不存在此标准；
箭头终点方向的标准引用了起点方向的标准。

标准号: ASTM F980-10
发布: 2010年
发布单位: 美国材料与试验协会
替代标准: ASTM F980-10e1
当前最新: ASTM F980-16

许多太空、军事和核电系统中使用的电子电路可能会暴露于不同水平和时间分布的中子辐射。对于此类电路的设计和制造来说，必须有可用的测试方法来确定其中使用的组件的易损性或硬度（非易损性的度量）。对于暴露后的短期（±100 秒）和长期（永久性损坏），通常需要测定硬度。请参阅实践 E722.1.1 本指南定义了测试硅分立半导体器件和集成电路的中子辐射引起的位移损坏的快速...

ASTM F980-10 中可能用到的仪器设备

半导体专用检测仪器设备

谁引用了ASTM F980-10 更多引用

ASTM E1854-19 确保电子零件中子诱发位移损伤试验一致性的标准实施规程 ASTM F1190-18 中子照射无偏电子元件的标准指南 ASTM E1854-13 确保电子部件的中子引起的位移损伤试验一致性的标准实施规程 ASTM F1190-11 无偏电子元件中子辐照的标准指南

ASTM F980-10
测量硅半导体器件中中子感应位移故障的快速退火用标准指南

Standard Guide for Measurement of Rapid Annealing of Neutron-Induced Displacement Damage in Silicon Semiconductor Devices

被代替

说明：

推荐

X射线衍射成像技术(XRDI)在半导体退火制程中进行晶圆破裂和缺陷形成机理诊断的应用

史上最全可靠性试验标准，384项，不仅包括中国标准

ASTM F980-10 中可能用到的仪器设备

谁引用了ASTM F980-10 更多引用

ASTM F980-10测量硅半导体器件中中子感应位移故障的快速退火用标准指南

Standard Guide for Measurement of Rapid Annealing of Neutron-Induced Displacement Damage in Silicon Semiconductor Devices

被代替

说明：

推荐

X射线衍射成像技术(XRDI)在半导体退火制程中进行晶圆破裂和缺陷形成机理诊断的应用

史上最全可靠性试验标准，384项，不仅包括中国标准

ASTM F980-10 中可能用到的仪器设备

谁引用了ASTM F980-10 更多引用

ASTM F980-10
测量硅半导体器件中中子感应位移故障的快速退火用标准指南