测量硅半导体器件中中子感应位移故障的快速退火的标准指南 是非强制性国家标准,您可以免费下载预览页
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布鲁克纳米表面仪器部 向前 博士 X射线测量技术已经被逐步应用于半导体集成电路芯片的生产制程中。在半导体生产制程中,硅晶圆内部的不可视缺陷 (NVD, Non-Visual Defect) 以及晶圆破片(Wafer Breakage)是器件生产中面临的严重问题,导致良率降低、制造成本增加、生产机器诊断和维护成本增加等。...
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