ASTM F980-10e1
测量硅半导体器件中中子感应位移故障的快速退火的标准指南

Standard Guide for Measurement of Rapid Annealing of Neutron-Induced Displacement Damage in Silicon Semiconductor Devices

被代替

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标准号: ASTM F980-10e1
发布: 2010年
发布单位: 美国材料与试验协会
替代标准: ASTM F980-16
当前最新: ASTM F980-16

1.1 本指南定义了测试硅分立半导体器件和集成电路的中子辐射引起的位移损坏的快速退火效应的要求和程序。该测试将导致受辐照设备的电气性能下降，应被视为破坏性测试。位移损伤的快速退火通常与双极技术相关。 1.1.1 重离子束也可用于表征位移损伤退火 (1)2，但由于相关的电离剂量，离子束在解释所得器件行为时具有显着的复杂性。使用脉冲离子束作为位移损...

ASTM F980-10e1
测量硅半导体器件中中子感应位移故障的快速退火的标准指南

Standard Guide for Measurement of Rapid Annealing of Neutron-Induced Displacement Damage in Silicon Semiconductor Devices

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说明：

推荐

X射线衍射成像技术(XRDI)在半导体退火制程中进行晶圆破裂和缺陷形成机理诊断的应用

ASTM F980-10e1 中可能用到的仪器设备

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说明：

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