ASTM F980-10e1
测量硅半导体器件中中子感应位移故障的快速退火的标准指南

Standard Guide for Measurement of Rapid Annealing of Neutron-Induced Displacement Damage in Silicon Semiconductor Devices

被代替

ASTM F980-10e1 发布历史

ASTM F980-10e1由美国材料与试验协会 US-ASTM 发布于 2010。

ASTM F980-10e1的历代版本如下：

• 2016年 ASTM F980-16 硅半导体器件中子诱发位移损伤快速退火的标准指南
• 2010年 ASTM F980-10e1 测量硅半导体器件中中子感应位移故障的快速退火的标准指南
• 2010年 ASTM F980-10 测量硅半导体器件中中子感应位移故障的快速退火用标准指南
• 1992年 ASTM F980-92 硅半导体器件中子诱发位移损伤的快速退火测量指南

1.1 本指南定义了测试硅分立半导体器件和集成电路的中子辐射引起的位移损坏的快速退火效应的要求和程序。该测试将导致受辐照设备的电气性能下降，应被视为破坏性测试。位移损伤的快速退火通常与双极技术相关。

1.1.1 重离子束也可用于表征位移损伤退火 (1)2，但由于相关的电离剂量，离子束在解释所得器件行为时具有显着的复杂性。使用脉冲离子束作为位移损伤源不属于本标准的范围。 1.2 以 SI 单位表示的值被视为标准值。本标准不包含其他计量单位。

1.3 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前咨询并建立适当的安全和健康实践，并确定监管限制的适用性。

标准号

ASTM F980-10e1

发布

2010年

发布单位

美国材料与试验协会

替代标准

ASTM F980-16

当前最新

ASTM F980-16

 

 

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