SJ/T 11487-2015
半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法

Non-contact measurement method for the resistivity of semi-insulating semiconductor wafer

SJ/T 11487-2015 发布历史

本标准规定了半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法。本标准适用于半绝缘砷化镓、磷化铟、碳化硅等高阻半导体材料电阻率的测量,电阻率的测量范围为10 Ω·cm~10 Ω·cm。

SJ/T 11487-2015由行业标准-电子 CN-SJ 发布于 2015-04-30，并于 2015-10-01 实施。

SJ/T 11487-2015 在中国标准分类中归属于: H83 化合物半导体材料，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。

SJ/T 11487-2015的历代版本如下：

• 2015年04月30日 SJ/T 11487-2015 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法

标准号

SJ/T 11487-2015

发布日期

2015年04月30日

实施日期

2015年10月01日

废止日期

无

中国标准分类号

H83

国际标准分类号

29.045

发布单位

CN-SJ

适用范围

本标准规定了半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法。本标准适用于半绝缘砷化镓、磷化铟、碳化硅等高阻半导体材料电阻率的测量,电阻率的测量范围为10⁵ Ω·cm~10¹² Ω·cm。