SJ/T 11487-2015
半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法

Non-contact measurement method for the resistivity of semi-insulating semiconductor wafer

SJT11487-2015, SJ11487-2015


标准号
SJ/T 11487-2015
别名
SJT11487-2015, SJ11487-2015
发布
2015年
发布单位
行业标准-电子
当前最新
SJ/T 11487-2015
 
 
适用范围
本标准规定了半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法。本标准适用于半绝缘砷化镓、磷化铟、碳化硅等高阻半导体材料电阻率的测量,电阻率的测量范围为105 Ω·cm~1012 Ω·cm。

SJ/T 11487-2015相似标准


推荐

四探针测试仪HDRTS-8

  HD-RTS-8型数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理多用途综合测量设备。该仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准而设计,专用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)专用仪器。   ...

恭喜天津大学纳米中心2024首篇 Nature: 半导体石墨烯新突破

最初实验由天津大学国际纳米中心课题组使用绝缘SiC晶片进行,其中底部晶片(图1)被涂上有机物以产生大覆盖有SEG(0001)面平台,石墨化有机物可能会导致底部晶片变得稍微温度高一些。  在C面对Si面的情况下,温度较高C面上形成了一层薄Si膜,而大SEG生长在Si面上。因此,从Si面缺失Si实际上可能会在C面上凝结,以恢复整体化学计量比。...

浅析适用于射频微波等高频电路半导体材料及工艺 -1

半导体材料是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间,电阻率约在 1mΩ·cm~1GΩ·cm 范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路电子材料。按种类可以分为元素半导体和化合物半导体两大类,元素半导体指硅、锗单一元素形成半导体,化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成半导体。...

【邀请函】优尼康邀您参加8月3-4日苏州太仓·化合物半导体先进技术及应用大会

R50四探针电阻率测量仪Filmetrics R50 系列提供接触式四点探针 (4PP) 和非接触式涡流 (EC)测量。最快 1 点/秒速度映射导电膜电阻率/电导率。电动 X-Y 载物台使用标准晶片吸盘定制样品架,最大可测量 300mm 样品,或200mm 面积。...


SJ/T 11487-2015 中可能用到的仪器设备





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号