H82 元素半导体材料 标准查询与下载

GB/T 19922-2005 硅片局部平整度非接触式标准测试方法

本标准规定了用电容位移传感法测定硅片表面局部平整度的方法。 本标准适用非接触、非破坏性地测量干燥、净洁的半导体硅片表面的局部平整度。适用于直径100 mm及以上、厚度250μm及以上的腐蚀、抛光及外延硅片。

Standard test methods for measuring site flatness on silicon wafers by noncontact scanning

GB/T 12965-2005 硅单晶切割片和研磨片

本标准规定了硅单晶切割片和研磨片（简称硅片）的产品分类、术语、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于由直拉、悬浮区熔和中子嬗变掺杂硅单晶经切割、双面研磨制备的圆形硅片。产品主要用于制作晶体管、整流器件等半导体器件，或进一步加工成抛光片。

Monocrystalline silicon cut slices and lapped slice

GB/T 12962-2005 硅单晶

1.1本标准规定了硅单晶的产品分类、术语、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存。 1.2 本标准适用于直拉、悬浮区溶合中子嬗变掺杂制备的产品主要用于制作半导体元器件。

Monoccrystslline silicon

GB/T 19199-2003 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法

本标准规定了非掺杂半绝缘砷化镓晶片中碳浓度的红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于1．0×107 Ω·cm的非掺杂半绝缘砷化镓晶片中碳浓度的测定。可测定的最低碳浓度为4.0×1014 cm-3。

Test method for carbon concentration of semi-insulating monocrystal gallium arsenide by measurement infrared absorption method

GB/T 12964-2003 硅单晶抛光片

本标准规定了硅单晶抛光片(简称硅抛光片)的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于直拉硅单晶研磨片经腐蚀减薄后进行单面抛光制备的硅抛光片。产品主要用于制作集成电路等半导体器件或做为硅外延沉积的衬底。

Monocrystalline silicon polished wafers

GB/T 12965-1996 硅单晶切割片和研磨片

本标准规定了硅单晶切割片和研磨片（简称硅片）的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于由直拉、悬浮区熔和中子嬗变掺杂硅单晶经切割、双面研磨制备的圆形硅片，硅片直径范围为50.8～125mm。产品用于制作晶体管、整流器件等半导体器件，或进一步加工成硅抛光片。

Monocrystalline silicon as cut slices and lapped slices

GB/T 12963-1996 硅多晶

本标准规定了硅多晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于以三氯氢硅四氯化硅用氢还原法制得的半导体级硅多晶。产品主要用于制备硅单晶。

Polycrystalline silicon

GB/T 12962-1996 硅单晶

本标准规定了硅单晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于用直拉法、悬浮区熔法（包括中子嬗变掺杂）制备的硅单晶，产品主要供制作半导体元器件使用。

Monocrystalline silicon

GB/T 14849.3-1993 工业硅化学分析方法 钙量的测定

本方法规定了工业硅中钙含量的测定方法。 本方法适用于工业硅中钙含量的测定。测定范围：0.05％～1.20％。

Silicon metal.Determination of calcium content

GB/T 14849.2-1993 工业硅化学分析方法 铬天青-S分光光度法测定铝量

本标准规定了工业硅中铝含量的测定方法。 本标准适用于工业硅中铝含量的测定。测定范围：0.10％～1.20％。

Silicon metal.Determination of aluminium content.Chrome azurol S spectrophotometric method

GB/T 14849.1-1993 工业硅化学分析方法 1,10-二氮杂菲分光光度法测定铁量

本标准规定了工业硅中铁含量的测定方法。 本标准适用于工业硅中铁含量的测定。测定范围：0.10％～1.20％。

Silicon metal.Determination of iron content.1,10-Phenanthroline spectrophotometric method

YS/T 1510-2021 高纯锗粉

High purity germanium powder

YS/T 724-2016 多晶硅用硅粉

Silicon powder for polycrystalline silicon

YS/T 1167-2016 硅单晶腐蚀片

本标准规定了硅单晶腐蚀片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于直拉法、悬浮区熔法(包括区熔中子嬗变和气相掺杂)制备的硅单晶研磨片经化学腐蚀液去除表面损伤层后制备的酸腐蚀片和碱腐蚀片(以下简称腐蚀片)。产品主要用于制作晶体管、整流管、特大功率晶闸管、光电器件等半导体元器件或进一步加工成硅抛光片。

Monocrystalline silicon etched wafers

SJ/T 11552-2015 以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量

本标准规定了以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量的方法。 本标准适用于测试室温下电阻率大于5 Ω·cm的硅单晶中间隙氧含量，特别适用于薄硅片样品中氧含量的测量。氧含量的有效范围从1×10 at·cm至硅单晶中间隙氧的最大固溶度。

Test methods for measurement of interstitial oxygen content of silicon wafers by infrared absorption with P-polarized radiation incident at the Brewster angle

SJ/T 11494-2015 硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法

本标准规定了硅单晶中硼、磷杂质的光致发光测试方法。本标准适用于低位错密度(< 500个/cm)硅单晶中导电性杂质硼、磷含量的测定,同时也适用于检测硅单晶中含量为1×10 at • cm~5×10 at·cm的各种电活性杂质。

Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for III-V impurities

YS/T 1061-2015 改良西门子法多晶硅用硅芯

本标准规定了改良西门子法生产多晶硅用硅芯的要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单(或合同)内容等。 本标准适用于以多晶硅为原料，通过直拉法(CZ)生产硅棒再经过线切割加工或采用基座法拉制的硅芯。

Silicon core for polysilicon by improved siemens method

SJ/T 11491-2015 短基线红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量

本标准规定了用短基线红外光谱法测定硅中间隙氧含量。本标准适用于在室温下用短基线红外吸收法,测量低电阻率的n型硅单晶和p型硅单晶中间隙氧含量。测量氧含量的有效范围从1×10 at · cm至硅单晶中间隙氧的最大固溶度的测试。

Test methods for measurement of interstitial oxygen content in silicon by short baseline infrared absorption spectrometry

SJ/T 11493-2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法

本标准规定了用二次离子质谱法(SIMS)对硅衬底单晶体材料中氮总浓度的测试方法。本标准适用于锑、砷、磷的掺杂浓度

Test method for measuring nitrogen concentration in silicon substrates by secondary ion mass spectrometry

SJ/T 11495-2015 硅中间隙氧的转换因子指南

本标准规定了硅中间隙氧的转换因子指南。本标准适用于在室温下测试电阻率大于0.1 Ω·cm的n型硅单晶和电阻率大于0.5 Ω·cm的p型硅单晶中间隙氧含量。

Guide to conversion factors for interstitial oxygen in silicon