L53 半导体发光器件 标准查询与下载

SJ/T 11460.3.3-2016 液晶显示用背光组件 第3-3部分：电视接收机用LED背光组件空白详细规范

Backlight components for liquid crystal displays Part 3-3: Blank detailed specification for LED backlight components for television receivers

SJ/T 11577-2016 SJ/T 11394-2009 《半导体发光二极管测试方法》应用指南

SJ/T 11394-2009 "Semiconductor Light Emitting Diode Test Methods" Application Guide

SJ/T 2658.14-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第14部分：结温

Measurement methods for semiconductor infrared emitting diodes Part 14: Junction temperature

SJ/T 11581-2016 LED模块加速寿命试验方法

LED module accelerated life test method

SJ/T 11580-2016 普通照明用LED模块（LED部件）接口规则

Interface rules for LED modules (LED components) for general lighting

SJ/T 11579-2016 LED模块接口规则

LED module interface rules

SJ/T 2658.16-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第16部分:光电转换效率

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)光电转换效率的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。

Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 16: Photo-electric conversion efficiency

SJ/T 2749-2016 半导体激光二极管测试方法

Semiconductor Laser Diode Test Methods

SJ/T 2658.15-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第15部分：热阻

Measurement methods for semiconductor infrared emitting diodes Part 15: Thermal resistance

SJ/T 2658.5-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第5部分:串联电阻

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)串联电阻的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。

Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 5:Series connection resistance

SJ/T 2658.4-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第4部分:总电容

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)总电容的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。

Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 4: Total capacitance

SJ/T 2658.11-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第11部分:响应时间

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)响应时间的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。

Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 11: Response time

SJ/T 2658.6-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第6部分:辐射功率

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射功率的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。

Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 6: Radiant power

SJ/T 2658.9-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第9部分:辐射强度空间分布和半强度角

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射强度空间分布和半强度角的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。

Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 9: Spatial distribution of radiant intensity and half-intensity angle

SJ/T 2658.7-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第7部分:辐射通量

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射通量的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。

Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 7: Radiant flux

SJ/T 2658.13-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第13部分:辐射功率温度系数

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射功率温度系数的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。

Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 13: Temperature coefficient for radiant power

SJ/T 2658.8-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第8部分:辐射强度

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射强度的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。

Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 8: Radiant intensity

SJ/T 2658.2-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第2部分:正向电压

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)正向电压的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。

Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 2: Forward voltage

SJ/T 2658.12-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第12部分:峰值发射波长和光谱辐射带宽

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)峰值发射波长和光谱辐射带宽的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。

Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 12: Peak-emission wavelength and spectral radiant bandwidth

SJ/T 2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法.第3部分:反向电压和反向电流

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)反向电压和反向电流的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。

Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 3:Reverse voltage and reverse current