L53 半导体发光器件 标准查询与下载



共找到 241 条与 半导体发光器件 相关的标准,共 17

Backlight components for liquid crystal displays Part 3-3: Blank detailed specification for LED backlight components for television receivers

ICS
31.080
CCS
L53
发布
2016-04-05
实施
2016-09-01

LED module interface rules

ICS
31.260
CCS
L53
发布
2016-01-15
实施
2016-06-01

Measurement methods for semiconductor infrared emitting diodes Part 14: Junction temperature

ICS
31.260
CCS
L53
发布
2016-01-15
实施
2016-06-01

LED module accelerated life test method

ICS
31.260
CCS
L53
发布
2016-01-15
实施
2016-06-01

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)光电转换效率的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。

Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 16: Photo-electric conversion efficiency

ICS
31.260
CCS
L53
发布
2016-01-15
实施
2016-06-01

Semiconductor Laser Diode Test Methods

ICS
31.080
CCS
L53
发布
2016-01-15
实施
2016-06-01

Measurement methods for semiconductor infrared emitting diodes Part 15: Thermal resistance

ICS
31.260
CCS
L53
发布
2016-01-15
实施
2016-06-01

SJ/T 11394-2009 "Semiconductor Light Emitting Diode Test Methods" Application Guide

ICS
31.260
CCS
L53
发布
2016-01-15
实施
2016-06-01

Interface rules for LED modules (LED components) for general lighting

ICS
31.260
CCS
L53
发布
2016-01-15
实施
2016-06-01

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射通量的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。

Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 7: Radiant flux

ICS
31.080
CCS
L53
发布
2015-10-10
实施
2016-04-01

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射强度空间分布和半强度角的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。

Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 9: Spatial distribution of radiant intensity and half-intensity angle

ICS
31.080
CCS
L53
发布
2015-10-10
实施
2016-04-01

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射强度的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。

Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 8: Radiant intensity

ICS
31.080
CCS
L53
发布
2015-10-10
实施
2016-04-01

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)响应时间的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。

Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 11: Response time

ICS
31.080
CCS
L53
发布
2015-10-10
实施
2016-04-01

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)调制带宽的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。

Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 10: Modulation bandwidth

ICS
31.080
CCS
L53
发布
2015-10-10
实施
2016-04-01

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射功率的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。

Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 6: Radiant power

ICS
31.080
CCS
L53
发布
2015-10-10
实施
2016-04-01

本部分规定了对半导体红外发射二极管(以下简称器件)进行光电参数测量的一般要求,包括测试仪表的误差范围、电源的性能要求以及测试环境条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。

Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 1: General

ICS
31.080
CCS
L53
发布
2015-10-10
实施
2016-04-01

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)峰值发射波长和光谱辐射带宽的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。

Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 12: Peak-emission wavelength and spectral radiant bandwidth

ICS
31.080
CCS
L53
发布
2015-10-10
实施
2016-04-01

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射功率温度系数的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。

Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 13: Temperature coefficient for radiant power

ICS
31.080
CCS
L53
发布
2015-10-10
实施
2016-04-01

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)总电容的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。

Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 4: Total capacitance

ICS
31.080
CCS
L53
发布
2015-10-10
实施
2016-04-01

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)反向电压和反向电流的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。

Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 3:Reverse voltage and reverse current

ICS
31.080
CCS
L53
发布
2015-10-10
实施
2016-04-01



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