SAE J1752/3-2011
采用集成电路TEM /宽带TEM(GTEM)单元方式的辐射排放测量;TEM单元(150 kHz至1 GHz),宽带TEM单元(150 kHz至 8 GHz)

Measurement of Radiated Emissions from Integrated Circuits TEM/Wideband TEM (GTEM) Cell Method; TEM Cell (150 kHz to 1 GHz), Wideband TEM Cell (150 kHz to 8 GHz)


SAE J1752/3-2011 中,可能用到以下仪器

 

标准号
SAE J1752/3-2011
发布
2011年
发布单位
美国机动车工程师协会
替代标准
SAE J1752/3-2017
当前最新
SAE J1752/3-2017
 
 
引用标准
IEC 61967 SAE J1752/1-2006
该测量程序定义了一种测量集成电路 (IC) 电磁辐射的方法。待评估的 IC 安装在 IC 测试印刷电路板 (PCB) 上,该印刷电路板夹在 TEM 或宽带 TEM (GTEM) 单元顶部或底部切割的配合端口(称为墙壁端口)上。测试板不像常规使用那样位于电池内,而是成为电池壁的一部分。该方法适用于任何经过改造以合并壁端口的 TEM 或 GTEM 单元;然而,测...

SAE J1752/3-2011相似标准


推荐


SAE J1752/3-2011系列标准


SAE J1752/3-2011 中可能用到的仪器设备





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号