SAE J1752/3-2011
采用集成电路TEM /宽带TEM(GTEM)单元方式的辐射排放测量;TEM单元(150 kHz至1 GHz),宽带TEM单元(150 kHz至 8 GHz)

Measurement of Radiated Emissions from Integrated Circuits TEM/Wideband TEM (GTEM) Cell Method; TEM Cell (150 kHz to 1 GHz), Wideband TEM Cell (150 kHz to 8 GHz)

被代替

SAE J1752/3-2011 发布历史

SAE J1752/3-2011由美国机动车工程师协会 US-SAE 发布于 2011-06-17。

SAE J1752/3-2011 在中国标准分类中归属于: T36 电子、电气设备，在国际标准分类中归属于: 33.100.10 发射,43.040.10 电气和电子设备。

SAE J1752/3-2011 采用集成电路TEM /宽带TEM(GTEM)单元方式的辐射排放测量;TEM单元(150 kHz至1 GHz),宽带TEM单元(150 kHz至 8 GHz)的最新版本是哪一版？

最新版本是 SAE J1752/3-2017 。

SAE J1752/3-2011 发布之时，引用了标准

• IEC 61967 集成电路.电磁发射的测量.第8部分:辐射发射的测量.IC带状线法*， 2023-05-03 更新
• SAE J1752/1-2006 集成电路电磁兼容性测量程序-集成电路EMC测量程序-总则和定义

* 在 SAE J1752/3-2011 发布之后有更新，请注意新发布标准的变化。

SAE J1752/3-2011的历代版本如下：

• 2017年 SAE J1752/3-2017 集成电路辐射发射的测量 EM/Wideband TEM（GTEM）Cell Method； TEM 小室（150 kHz 至 1 GHz）、宽带 TEM 小室（150 kHz 至 8 GHz）
• 2011年 SAE J1752/3-2011 采用集成电路TEM /宽带TEM(GTEM)单元方式的辐射排放测量;TEM单元(150 kHz至1 GHz),宽带TEM单元(150 kHz至 8 GHz)
• 2003年 SAE J1752/3-2003 集成电路 TEM/宽带 TEM（GTEM）单元法的辐射发射测量； TEM 小室（150 kHz 至 1 GHz）、宽带 TEM 小室（150 kHz 至 8 GHz）
• 1995年 SAE J1752/3-1995 集成电路辐射发射的测量-Tem/宽带 Tem（Gtem）电池方法； Tem Cell（150 Khz 至 1 Ghz）、宽带 Tem Cell（150 Khz 至 8 Ghz）

该测量程序定义了一种测量集成电路 (IC) 电磁辐射的方法。待评估的 IC 安装在 IC 测试印刷电路板 (PCB) 上，该印刷电路板夹在 TEM 或宽带 TEM (GTEM) 单元顶部或底部切割的配合端口（称为墙壁端口）上。测试板不像常规使用那样位于电池内，而是成为电池壁的一部分。该方法适用于任何经过改造以合并壁端口的 TEM 或 GTEM 单元；然而，测得的射频电压受到隔膜与测试板（墙）间距的影响。该程序是使用隔膜与壁间距为 45 mm 的 1 GHz TEM 单元和端口区域上隔膜与壁平均间距为 45 mm 的 GTEM 单元开发的。其他电池可能不会产生相同的光谱输出，但可用于比较测量，但受其频率和灵敏度限制。转换因子可以允许在具有不同隔膜与壁间距的 TEM 或 GTEM 单元上测量的数据之间进行比较。 IC 测试板控制操作 IC 相对于电池的几何形状和方向，并消除电池内的任何连接引线（这些引线位于电路板的背面，位于电池外部）。对于 TEM 池，50 Ω 端口之一端接 50 Ω 负载。 TEM 单元的另一个 50 Ω 端口或 GTEM 单元的单个 50 Ω 端口连接到频谱分析仪或接收器的输入，用于测量 IC 发出的 RF 发射并耦合到 TEM 单元的隔膜上。

标准号

SAE J1752/3-2011

发布

2011年

发布单位

美国机动车工程师协会

替代标准

SAE J1752/3-2017

当前最新

SAE J1752/3-2017

 

 

引用标准

IEC 61967 SAE J1752/1-2006

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