31.080 半导体分立器件 标准查询与下载
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Semiconductor devices－Mechanical and climatic test methods－Part 24：Accelerated moisture resistance－Unbiased HAST
- ICS
- 31.080
- CCS
- 发布
- 20210928
- 实施
- 20210928
Semiconductor devices — Mechanical and climatic test methods —Part 11: Rapid change of temperature — Two-fluid-bath method
- ICS
- 31.080
- CCS
- 发布
- 2020-12-31
- 实施
Semiconductor devices — Mechanical and climatic test methods — Part 13: Salt atmosphere
- ICS
- 31.080
- CCS
- 发布
- 2020-12-31
- 实施
Semiconductor devices — Mechanical and climatic test methods —Part 11: Rapid change of temperature — Two-fluid-bath method
- ICS
- 31.080
- CCS
- 发布
- 2020-12-31
- 实施
Semiconductor devices — Mechanical and climatic test methods — Part 13: Salt atmosphere
- ICS
- 31.080
- CCS
- 发布
- 2020-12-31
- 实施
Copper foil for printed wiring boards
- ICS
- 31.080
- CCS
- 发布
- 20201109
- 实施
- 20201109
Safety guideline for semiconductor fabrication equipment
- ICS
- 31.080
- CCS
- 发布
- 20201013
- 实施
- 20201013
Method of evaluation for coating components of semiconductor and LCD process
- ICS
- 31.080
- CCS
- 发布
- 2019-12-31
- 实施
Backlight components for liquid crystal displays Part 3-3: Blank detailed specification for LED backlight components for television receivers
- ICS
- 31.080
- CCS
- L53
- 发布
- 2016-04-05
- 实施
- 2016-09-01
Semiconductor Laser Diode Test Methods
- ICS
- 31.080
- CCS
- L53
- 发布
- 2016-01-15
- 实施
- 2016-06-01
本部分规定了对半导体红外发射二极管(以下简称器件)进行光电参数测量的一般要求，包括测试仪表的误差范围、电源的性能要求以及测试环境条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 1: General
- ICS
- 31.080
- CCS
- L53
- 发布
- 2015-10-10
- 实施
- 2016-04-01
本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射功率的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 6: Radiant power
- ICS
- 31.080
- CCS
- L53
- 发布
- 2015-10-10
- 实施
- 2016-04-01
本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射通量的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 7: Radiant flux
- ICS
- 31.080
- CCS
- L53
- 发布
- 2015-10-10
- 实施
- 2016-04-01
本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射强度的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 8: Radiant intensity
- ICS
- 31.080
- CCS
- L53
- 发布
- 2015-10-10
- 实施
- 2016-04-01
本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)响应时间的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 11: Response time
- ICS
- 31.080
- CCS
- L53
- 发布
- 2015-10-10
- 实施
- 2016-04-01
本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射强度空间分布和半强度角的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 9: Spatial distribution of radiant intensity and half-intensity angle
- ICS
- 31.080
- CCS
- L53
- 发布
- 2015-10-10
- 实施
- 2016-04-01
本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)总电容的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 4: Total capacitance
- ICS
- 31.080
- CCS
- L53
- 发布
- 2015-10-10
- 实施
- 2016-04-01
本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)正向电压的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 2: Forward voltage
- ICS
- 31.080
- CCS
- L53
- 发布
- 2015-10-10
- 实施
- 2016-04-01
本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)反向电压和反向电流的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 3:Reverse voltage and reverse current
- ICS
- 31.080
- CCS
- L53
- 发布
- 2015-10-10
- 实施
- 2016-04-01
本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)调制带宽的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 10: Modulation bandwidth
- ICS
- 31.080
- CCS
- L53
- 发布
- 2015-10-10
- 实施
- 2016-04-01
