由于等离子刻蚀工艺中的过程变量，如刻蚀率、气压、温度、等离子阻抗，等等，不易测量，因此业界常用的测量方法有：
虚拟测量（Virtual Metrology）
光谱测量（Optical emission spectroscopy）
等离子阻抗监控（Plasma impedance monitoring）
终端探测（end-point detection）
远程耦合传感（remote-coupled sensing）
控制方法
run-to-run 控制（R2R）
模型预测控制（MPC）
人工神经网络控制
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