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在指甲盖大小的芯片上布局几十亿个晶体管，集成电路是公认的、人类迄今制造过的最复杂的产品之一，已成为衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志。随着芯片制程从微米时代进入纳米时代，逐渐达到半导体制造设备和制造工艺的极限，杂质含量成为非常敏感的存在，对于产线的良率管理和提升成为半导体工业界面临的重要挑战！
赛默飞为半导体及相关行业的关键环节提供多层次技术支撑，为客户提供全方位的分析方案，电感耦合等离子体光谱仪（ICP-OES）、电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）、高分辨电感耦合等离子体质谱仪（HR-ICP-MS）、辉光放电质谱仪（GD-MS），全面的产线为半导体痕量金属元素分析保驾护航；全球领先的离子色谱（IC）可提供先进的痕量离子态杂质解决方案，挑战离子检测极限；更有气质联用仪（GCMS）提供的洁净空气VOCs检测方案、高分辨质谱仪加持对半导体材料未知物定性定量的检测等。从半导体材料、集成电路制造到封装测试，赛默飞能为半导体制造过程的质量控制提供稳健可靠的分析方法，助力全面提升产品良率！
赛默飞全方位的ICPMS技术，拥有从单杆到三重四极杆以及高分辨ICPMS全产品线平台，具有差异化的干扰去除技术，提高生产力，广泛用于半导体行业用材料的质量控制分析，避免由样品制备引起的污染。
晶圆表面VPD-ICPMS检测方案
在生产制造过程中，常用气相分解-电感耦合等离子体质谱联用（VPD-ICP-MS）方法检测硅晶片纯度，其纯度要求在99.9999999% 以上。在高含量的酸和硅基体中，目标检测元素的含量非常低，赛默飞三重四极杆ICPMS可在多种分析模式之间进行可靠切换，为所有分析物灵活提供最佳分析条件，具有高灵敏度和准确性，对于检测VPD样品，能有效去除大量多原子离子干扰，得到更加精准的结果。
湿电子化学品ICPMS检测方案
大规模集成电路制造需要使用大量的超纯水和高纯度湿电子化学品，如硫酸、氨水、氢氟酸、盐酸和双氧水等，晶圆通常以传统的“RCA Clean”标准清洗流程进行，除了超纯水外，需要用到清洗液以不同类型化学品和配比，清除相应的污染物。赛默飞半导体ICPMS（单杆、三重四极杆、高分辨）解决方案可适用于半导体实验室分析以及生产中制程化学品的实时监测，适应于不同纯度级别试剂的测定，并避免由样品制备引起的污染。
半导体材料检测方案
GD-MS（辉光放电质谱仪）是在双聚焦高分辨质谱的技术上，采用快速流辉光放电离子源，实现高纯固体样品直接分析的最佳工具，具有检出限低、基体效应小、制样简单和全元素快速检测的突出优势。针对半导体行业需求，可实现高纯（≥5N）铜、铝、钛、钽、钼等高纯溅射靶材中70种以上杂质元素快速检测；硅、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等基材从原料至晶圆的全元素杂质检测；SiC等外延片镀层化学成分及杂质含量分布。
赛默飞先进的离子色谱和相关技术能为高纯水痕量阴阳离子分析提供离线和在线监测方案，为电子级高纯试剂中ppb-ppm级阴离子和百分比级混酸的含量提供检测方案，并为半导体生产环境空气中痕量阴阳离子的分析提供解决方案。
湿电子化学品谱睿技术检测方案
以高纯氢氟酸检测为例，SEMI推荐赛默飞的谱睿二维方案，一维色谱中使用排斥柱将氟离子和其他常见阴离子预分离，通过调节保留时间窗口，将高浓度的氟离子排到废液中，其他阴离子被选择性浓缩富集，富集的阴离子部分在二维色谱中通过离子交换方式实现分离检测，实现对高纯氢氟酸中痕量阴离子杂质的检测。
超纯水在线监测方案
半导体级超纯水生产过程中，传统分析方法往往需要离线采样，赛默飞提供Integral在线离子色谱方案，通过多位点自动采样、浓缩和分析的监测，实现对超纯水中多种阴阳离子污染物24H/7D在线监测，为集成电路生产稳定高效运转提供保障。
△赛默飞离子色谱过程实时监控分析-Integral
光刻胶中卤素含量测定
(在线燃烧离子色谱法)
光刻胶是光刻工艺最重要的耗材，光刻胶的质量对光刻精度至关重要，其样品状态粘稠，含有树脂、单体、光引发剂等复杂基质，无法直接进样分析。对于光刻胶及相关材料中痕量卤素的检测，赛默飞推出CIC在线燃烧离子色谱法，通过燃烧消除基质影响，燃烧后的吸收液进样离子色谱检测阴离子，残渣溶解后进样ICPMS检测金属离子，实现一样两用，对光刻胶样品进行全面分析。
对于贯穿整个生产工艺流程的洁净室和微环境，赛默飞能为废水、废气中的各项污染物提供准确的分析解决方案，以及提供VOCs和污染离子的24小时在线监测。
化学分析与检测对集成电路生产非常重要，确保芯片生产质量，改善良品率，赛默飞全线产品拥有应对半导体所有挑战的技术。除了常规检测外，还有多项赛家半导体独门武艺蓄势待发，如高分辨液质联用加持生产中未知物定量定性检测、GDMS赋能靶材、高纯硅中的杂质检测、半导体材料全面检测方案等系列特色检测方案，将在后续赛默飞赋能创“芯”系列文章中逐一道来，敬请期待！
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